來源與構建：該細胞系以 CHO-K1 為親本，通過 CRISPR/Cas9 介導的堿基編輯技術實現 H3K181 位點的定點修飾，篩選獲得 H3K181a 修飾穩定異常的單克隆株（“JJ-9-H3K181a" 標識構建批次、克隆編號與靶標修飾位點）。構建過程中未引入外源抗性基因，通過 Western blot 與質譜驗證，確保 H3K181a 修飾水平較野生型改變 40%-60%，且其他組蛋白位點修飾無顯著變化（如 H3K4me3、H3K27ac 波動＜5%），避免非特異性表觀遺傳干擾。

形態與增殖：體外培養呈上皮樣形態，貼壁生長時細胞輪廓清晰，較野生型 CHO 略大且排列疏松；因染色質功能改變，懸浮培養適應性較差，主要以貼壁方式培養。37℃、5% CO?條件下，增殖周期約 38-44 小時，較野生型延長 8-10 小時，適應含 10% 胎牛血清的 DMEM/F12 培養基，傳代 60 次以上 H3K181a 修飾表型穩定（波動＜7%），凍存復蘇后存活率超 83%。

功能特征：核心優勢在于組蛋白修飾的特異性改變：H3K181a 修飾異常導致染色質開放度改變（ATAC-seq 顯示 12% 的基因組區域 accessibility 變化），其中啟動子區開放度差異zui顯著（上調區域占 8%，下調區域占 15%）。ChIP-seq 驗證顯示，H3K181a 修飾與 RNA 聚合酶 II 結合效率呈正相關（R2=0.78），使下游靶基因（如細胞周期調控基因 CDK6）表達量改變 2-4 倍，wan美模擬組蛋白修飾介導的基因表達調控表型。

貼壁培養操作：

修飾檢測樣本制備：

凍存流程：取對數生長期細胞，1000rpm 離心 5 分鐘，用凍存液（70% wan全培養基 + 20% 胎牛血清 + 10% DMSO）重懸至 5×10?個 /mL，分裝至凍存管，程序降溫盒 - 80℃過夜，次日轉移至液氮保存，保存期可達 5 年以上，復蘇后需傳代 2-3 次再進行表觀遺傳相關實驗（確保修飾狀態穩定）。

優勢：H3K181a 修飾異常特異性高，其他組蛋白位點干擾＜5%；表觀遺傳表型穩定，傳代 60 次修飾水平波動＜7%；無外源基因整合，適合長期機制研究；對組蛋白修飾藥物響應靈敏，篩選效率較野生型提升 35%。

局限性：部分基因表達改變可能間接受染色質結構影響（需結合 ChIP 驗證直接調控關系）；貼壁依賴性強，懸浮培養會導致修飾表型改變（約 10%）；部分實驗需配套野生型對照（如 H3K181 正常修飾的 CHO 細胞）以排除背景干擾。